Placa cerâmica

em aluminade óxido de alumíniode proteção

Visão geral do produto
Bases e bicos de cerâmica de alumina (Al2O3) são utilizados em equipamentos de processo de semicondutores, como sistemas de implantação e componentes de geradores de elétrons. Disponíveis nas classes 95%, 99% e 99,7% Al2O3, esses componentes fornecem isolamento elétrico, condutividade térmica elevada e resistência mecânica exigida em ambientes de alta temperatura e alta tensão.

Propriedades principais

• Ingrediente químico principal: Al2O3 (95% / 99% / 99,7%)
• Densidade aparente: 3,6 / 3,89 / 3,96 g/cm3
• Temperatura máxima de uso: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Condutividade térmica (20°C): 16 / 30 / 30,4 W/m·K
• Resistência dielétrica: 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220) ac-kV/mm (ac V/mil)
• Resistividade de volume (100°C): >10^13 / >10^14 / >10^14 ohm·cm
• Resistência à flexão (20°C): 358 (52) / 550 / 550 MPa
• Resistência à compressão (20°C): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377) MPa
• Toughness de fratura K(Ic): 4–5 / 5,6 / 6 MPa·m1/2

Aplicações
Utilizada como peças de isolamento, blindagem e desgaste em geradores de elétrons, equipamentos de implantação e outras ferramentas de fabricação de semicondutores. Indicada para componentes expostos a alta temperatura, alta tensão ou atmosferas de processo corrosivas.

Especificações técnicas

• Ingrediente químico principal: Al2O3 (95% / 99% / 99,7%)
• Densidade aparente (g/cm3): 3,6 / 3,89 / 3,96
• Temperatura máxima de uso: 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Absorção de água (%): 0 / 0 / 0
• Dureza ROHS: ≥85 / ≥89 / ≥89
• Resistência à flexão (20°C) MPa (psi x 10^3): 358 (52) / 550 / 550
• Resistência à compressão (20°C) MPa (psi x 10^3): 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377)
• Toughness de fratura K(Ic) MPa·m1/2: 4–5 / 5,6 / 6
• Coeficiente de expansão térmica (25-1000°C) 1×10^-6/°C: 7,6 / 7,9 / 8,2
• Condutividade térmica (20°C) W/m·K: 16 / 30 / 30,4
• Resistência ao choque térmico (°C): 250 / 200 / 200
• Constante dielétrica (1MHz, 25°C): 9 / 9,7 / 9,7
• Resistência dielétrica ac-kV/mm (ac V/mil): 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220)
• Resistividade de volume (100°C) ohm·cm: >10^13 / >10^14 / >10^14