Innovacera社の窒化ケイ素(Si₃N₄)基板は、卓越した熱伝導性、高い機械的強度、優れた破壊靭性を兼ね備えており、ハイパワーエレクトロニクスや熱管理アプリケーションに卓越した信頼性を提供します。シリコンに近い熱膨張係数と優れた耐熱衝撃性により、これらの基板は過酷な条件下でも安定した性能を維持します。精密に設計された表面とカスタマイズ可能な仕様により、IGBTパワーモジュール、ハイパワーヒートシンク、高度なワイヤレスモジュールに最適です。特徴:高熱伝導率シリコンウェハーに近い熱膨張係数高強度・高靭性用途:ハイパワーIGBTパワーモジュールハイパワーヒートシンクワイヤレスモジュール材質特性表:特性試験条件単位Si₃N₄(SN-90)材質--Si₃N₄外観--灰色表面粗さRaμm0.2~0.75密度-g/cm³≧3.2曲げ強さ3点曲げ抵抗MPa≥750ビッカース硬さ荷重4.9GPa≥14吸水率-%0熱伝導率25℃W/(m・k)≥85線熱膨張係数25-.500℃x10-⁶ミリメートル/℃2~4耐熱衝撃性800℃時間≥10比熱-J/(kg-K)680誘電率1MHz/25℃-7~8誘電損失1MHz/25℃x10-⁴≤4体積抵抗率25℃Ω・cm>10¹⁴絶縁破壊電圧-kV/mm>15反射率反射率計--白色度白色度計--仕様と寸法:材質単位Si₃N₄有効寸法(A、B)mm138*190厚さ(T)mm0.25、0.32厚さ公差mm±5%(最小±0.03mm)反り(C)mm≤0.3%表面粗さμm0.2-0.75。75サイズ、厚さ、表面粗さはカスタマイズすることができます加工:レーザー加工研磨シート粗さテーブルProjectQualifiedSpecial Grade内寸公差±0.05mm±0.03mm外寸公差±0.15mm±0.1mm穴公差(φ0.07-0.15mm)±0.05mm±0.02mm穴公差(φ>0.15mm)±0.1mm±0.02mm研削面粗さ(μm)0.3-0.60.3-0.5精研削面粗さ(μm)0.1-0.40.1-0.3研磨面粗さ(μm)≦0.1≤0.05関連タグ:高強度セラミック基板, Si3N4セラミック基板, パワーモジュール用Si3N4基板, 窒化ケイ素基板技術的特性/仕様:材質:窒化ケイ素(Si₃N₄)色:グレー表面粗さ:0.2~0.75μm密度:≥3.2g/cm³曲げ強さ:≥750MPaビッカース硬度:≥14GPa吸水率:0%熱伝導率:≥0.5GPa:0%熱伝導率: ≥85 W/(m-k)線熱膨張係数: 2~4 x10-⁶ mm/℃耐熱衝撃性: ≥10 times at 800℃比熱: 680 J/(kg-K)誘電率: 7~8 (1MHz/25℃)誘電損失: ≤4 x10-⁴ (1MHz/25℃)体積抵抗率:>10¹⁴ Ω-cm(25℃)絶縁破壊電圧:>15 kV/mmEffective次元:138*190 mm厚さ:0.25、0.32 mm厚さ公差:±5%(最小±0.03ミリメートル)反り:≤0.3%加工:レーザー加工、研削、研磨カスタマイズ可能なサイズ、厚さ、表面粗さ
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