概要これらのSiC多孔質セラミックディスクは、半導体および高度製造プロセスにおける精密な真空吸着およびエア浮上(エアベアリング)用途のために設計されています。炭化ケイ素製で、高い硬度、優れた熱伝導性および化学的耐性を有し、安定した真空保持力と均一な気流分布を実現します。ウェーハ、パネル、薄基板の非接触・低ダメージ取り扱いを可能にし、高温・高精度の生産環境に適しています。
製品仕様(概要)組成: SiC
形状: ディスク
材料: 炭化ケイ素多孔質セラミック
CAS番号: 409-21-2
製品区分: 多孔質セラミックディスク
仕様 / 許容差(ディスク)厚さ: 2 mm(許容差 ±0.1 mm)
外径: 80 mm(許容差 ±0.1 mm)
物理的特性密度: 2.0 - 2.2 g/cm³
機械的特性硬度 (HRA): ≥ 40.00
代表的な用途- 半導体用真空チャックシステム(ウェーハ研削、ウェーハダイシング、印刷用真空チャック)
- 真空チャックの洗浄
- 搬送・ハンドリング用真空チャック
- 精密エアベアリング・エア浮上プラットフォーム
- LCDおよびOLED表示パネルの製造
- 半導体微細加工
- 携帯電話用ガラス・パネルの取り扱い
- 薄膜プロセス
- レーザー加工プラットフォーム
- 印刷・コーティングシステム
- 太陽光発電および太陽電池産業
主な特長- 均一で安定した多孔構造
- 信頼できる真空吸着性能
- エア浮上用途での均一な気流分布
- 非接触・低ダメージの取り扱いに適合
- 高い寸法精度と一貫性
- クリーンルーム等、清浄な製造環境向けに設計
仕様とバリエーション- 複数のサイズと厚さを用意
- 負荷・プロセス要件に応じた異なる孔構造
- 全仕様での一貫した孔分布
技術仕様 / 製品仕様- 組成: SiC
- 形状: ディスク
- 材料: 炭化ケイ素多孔質セラミック
- CAS番号: 409-21-2
- 製品区分: 多孔質セラミックディスク
- ディスク厚さ: 2 mm(許容差 ±0.1 mm)
- 外径: 80 mm(許容差 ±0.1 mm)
- 密度: 2.0 - 2.2 g/cm³
- 硬度 (HRA): ≥ 40.00
- 利用可能な孔径例: 15 μm、30 μm
- パッケージ: 1 個/単位