Microscópio de força atômica
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Microscópio de força atômica - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - para pesquisa / para a pesquisa sobre materiais / para a indústria eletrônica
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Características

Tipo
de força atômica
Aplicações técnicas
para pesquisa, para a pesquisa sobre materiais, para materiais, para a indústria eletrônica, para semicondutor
Técnica
por contraste topográfico
Outras características
de alta resolução, automático, motorizado, para wafers, para utilização em ar ou líquidos, piezoelétrico, de alta precisão
Resolução espacial

0,02 µm

Descrição

Visão geral do produto
O microscópio de força atômica (AFM wafer-level) é um instrumento de sonda de varredura de alta resolução projetado para caracterizar a morfologia tridimensional de superfícies e propriedades multifuncionais de condutores, semicondutores e isolantes em escala de wafer, com aproximação automática da sonda e alta precisão de posicionamento.

Recursos
  • Testes multifuncionais avançados: capacidades de medição incluem módulo de Young, adesão, imagem de domínio magnético, potencial de superfície, função trabalho e outras grandezas físicas.
  • Ambiente adaptável: compatível com acessórios como placas de cultura e mesas aquecidas; suporta medições em fases de ar e líquido e operação em ambientes submersos e de alta temperatura.
  • Aproximação de sonda inteligente: inserção automática da sonda por tecla única usando tubo de varredura piezoelétrico.
  • Tamanho de amostra adaptável: projetado para manuseio de wafers de 12 polegadas e retrocompatível com wafers de 8, 6, 4 polegadas e fragmentos.

Indicadores técnicos
  • Nível de ruído (XY): 0,2 nm (malha fechada), 0,02 nm (malha aberta).
  • Nível de ruído (Z): 0,06 nm (malha fechada), 0,03 nm (malha aberta).
  • Não linearidade: 0,15% (XY), 1% (Z).
  • Modo de varredura: modo de varredura completa da sonda XYZ (a amostra permanece estacionária durante a varredura).
  • Faixa de varredura: 90 μm × 90 μm × 9 μm.
  • Taxa de varredura: 0,1 Hz a 30 Hz.
  • Pontos de amostragem de imagem: de 32 × 32 até 4000 × 4000.
  • Compatibilidade de tamanho de amostra: wafer de 12 polegadas; retrocompatível com wafers de 8, 6, 4 polegadas e fragmentos.
  • Modos de trabalho: contato, tapping, não-contato.
  • Ambientes adaptáveis: fases de ar e líquido.
  • Modos de medição multifuncionais: EFM, KPFM, PFM, C-AFM, SCFM, MFM, LFM, nano-gravação/processamento, espectroscopia de força de ponto único, modo de modulação de força.
  • Opcional: carregamento e descarregamento totalmente automáticos.
  • Sistema de aproximação de sonda totalmente automático: curso de 35 mm, precisão de passo 50 nm.

Imagens representativas / casos reais
  • Morfologia de amostra de proteína globular (modo tapping).
  • Potencial do eletrodo faixa Au-Ti — escaneado por KPFM (modo lift), exemplo de varredura: 18 μm × 18 μm.
  • Força eletrostática do eletrodo Au-Ti — EFM (modo lift), exemplo de varredura: 18 μm × 18 μm.
  • Domínio magnético de filme fino Fe-Ni — MFM (modo lift), exemplo de varredura: 14 μm × 14 μm.
  • Mapa de amplitude vertical piezoelétrica de PbTiO3 — PFM (modo contato), exemplo de varredura: 20 μm × 20 μm.
  • Morfologia de esferas de poliestireno — modo tapping, exemplo de varredura: 10 μm × 10 μm.
  • Imagens de morfologia de fibras de SiC.

Características / especificações
  • Tipo de sonda: micro-cantilêver para caracterização 3D de superfícies.
  • Resolução de imagem: até 20 picômetros (declaração do sistema).
  • Estágio de posicionamento: estágio motorizado de posicionamento de amostra com imagem óptica; precisão de posicionamento 1 µm em uma área de 300 mm × 300 mm.
  • Automação: aproximação de sonda automatizada e ajuste de parâmetros de varredura; opção de carregamento/descarga totalmente automático de wafers.
  • Suporte de ambiente e amostras: suporta placas de cultura, estágios aquecidos, células líquidas e configurações de alta temperatura para condições experimentais flexíveis.
  • Aplicações típicas: caracterização de materiais, imageamento de domínios magnéticos, mapeamento de potencial de superfície, mapeamento de resposta piezoelétrica, morfologia em escala nanométrica de amostras biológicas e inorgânicas.

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