窒化アルミナ (ALN) は、非常に高い熱伝導率(最大230W/m.K)と優れた電気絶縁特性を併せ持つ、非常に興味深い先進的な技術セラミック材料です。
このため、窒化アルミニウム(AlN)セラミック基板は、パワーエレクトロニクスやマイクロエレクトロニクスで広く使用されています。 例えば、半導体の回路キャリア(基板)として、あるいはLED照明技術やハイパワー電子機器のヒートシンクとして使用されています。
窒化アルミナ(AlN)セラミック基板の特徴
·高熱伝導率(170-230W/mK),アルミナセラミック基板の9.5倍。
·熱膨張係数はシリコン(Si)、GaN、GaAs半導体とほぼ同じです。 このため、シリコン(Si)チップや熱サイクルにおいて高い信頼性を実現することができる。
·電気絶縁性が高く、誘電率がはるかに小さい。
·高い機械的強度(450MPa)。
·溶融金属に対する優れた耐食性。
·極めて純粋、無毒。