ディスクセラミック

窒化アルミニウム絶縁

窒化アルミニウム(AlN)セラミックスは、電気絶縁性と優れた熱伝導性を有し、放熱性が要求される用途に最適です。良好な機械的特性、Al2O3やBeOセラミックスよりも高い曲げ強度、高い耐熱性と耐食性、高い熱伝導性と良好な電気絶縁特性、多くの溶融塩に曝された場合の優れた安定性。低熱膨張と熱衝撃への耐性特別な光学的および音響的特性特性値色ダークグレー主成分96%ALN嵩密度(g/cm3)3.335吸水率0.00曲げ強度(MPa)382.70誘電率(1MHz)8.56熱膨張係数(/℃，5℃/min，20-300℃)2.805*10-6熱伝導率(30℃)>=170化学的耐久性(mg/cm2)0.97耐熱衝撃性クラックなし体積抵抗率(Ω.cm)(20℃)1.4*1014絶縁耐力(KV/mm)18.45表面粗さRa(μm)0.3～0.5キャンバー(長さ‰)<=2‰セラミック射出成形低圧射出成形冷間等方圧プレスドライプレステープ鋳造精密機械加工高出力システム用AlNセラミックヒートシンクAlNるつぼ、Al蒸発皿などの高温耐食部品。ダイレクトボンド銅基板(DBC)AlNセラミック棒AlNセラミックウェハーAlNセラミック基板AlNセラミックヒーターカスタム形状半導体装置用部品ICパッケージ熱モジュール基板ハイパワートランジスタモジュール基板高周波デバイス基板サイリスタモジュール用発熱絶縁基板半導体レーザー、発光ダイオード（LED）用固定基板ハイブリッド集積モジュール、点火装置モジュール構造用セラミックスの焼結に使用金属溶解・電子タバコ用AlNるつぼ発光材料に応用基板材料に応用窒化アルミニウム（AlN）は、最大直接バンドギャップ幅が6.2eVであり、間接バンドギャップ半導体よりも光電変換効率が高い。重要な青色および紫外発光材料として、AlNは紫外/深紫外発光ダイオード、紫外レーザーダイオード、紫外検出器に使用されています。AlN結晶は、GaN、AlGaN、AlNエピタキシャル材料の理想的な基板です。AlN結晶は、GaN、AlGaN、AlNエピタキシャル材料にとって理想的な基板であり、サファイアやSiC基板と比較して、GaNとの熱的整合性、化学的適合性が高く、基板とエピタキシャル層間の応力も低い。さらに、AlN結晶を高Al成分とするAlGaNエピタキシャル材料の基板は、窒化物エピタキシャル層の欠陥密度を効果的に低減し、窒化物半導体デバイスの性能と寿命を大幅に向上させることができます。ALNセラミック基板の標準仕様：長さ・幅：25.4mm、50.8mm、63.5mm、76.2mm、101.6mm、114.3mm、127mm、152.4mm、厚さ：0.25mm、0.5mm、0.63mm、1mm、1.5mm、2mm。良好な機械的特性Al2O3およびBeOセラミックよりも高い曲げ強度高温および耐食性良好な電気絶縁性と高い熱伝導率溶融塩との例外的な安定性1500°までの熱安定性低熱膨張と熱衝撃への耐性特殊な光学的および音響的特性色：ダークグレー主な内容物：96%ALNバルク密度： 3.335 g/cm³吸水率： 0.00曲げ強度：382.70 MPa誘電率：8.56（1MHz）係数線形熱膨張：2.805 * 10^-6（/℃、5℃/分、20〜300℃）熱伝導率：≥170（30℃）化学耐久性：0.97 mg / cmの²熱衝撃抵抗：クラックなし体積抵抗率：1.4*10^14Ω・cm（20℃）絶縁耐力：18.45KV/mm表面粗さRa：0.3～0.5μmキャンバー（長さ‰）：≦2‰。