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- Díodo de junção PN
- Central Semiconductor
Díodo de junção PN CMDD series para montagem em superfíciede comutaçãoem silício
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Características
- Tipo de tecnologia
- de junção PN
- Montagem
- para montagem em superfície
- Função
- de comutação
- Características técnicas
- em silício
- Tensão inversa
75 V, 180 V, 250 V
Descrição
O tipo CMDD3003 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SUPERminiTM, concebido para aplicações de comutação que requerem um díodo de fuga extremamente baixo.
O Central Semiconductor CMDD2004 é um díodo de comutação de silício de alta tensão fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SUPERmini™, concebido para aplicações que requerem uma capacidade de alta tensão.
O tipo CMDD4448 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício de velocidade ultra-alta fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SUPERminiTM, concebido para aplicações de comutação de alta velocidade.
O tipo CMDD6001 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SUPERminiTM, concebido para aplicações de comutação que requerem um díodo de fuga extremamente baixo.
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