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Díodo de junção PN BAS series SMDde comutaçãoem silício
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Características
- Tipo de tecnologia
- de junção PN
- Montagem
- SMD
- Função
- de comutação
- Características técnicas
- em silício
- Tensão inversa
60 V, 75 V, 85 V
Descrição
O CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS28 consiste em dois díodos de comutação de silício de ultra-alta velocidade, isolados eletricamente, fabricados pelo processo planar epitaxial e embalados numa caixa de montagem em superfície SOT-143 moldada em epóxi. Este dispositivo foi concebido para aplicações de comutação de alta velocidade.
CÓDIGO DE MARCAÇÃO: A61 ou JTW
O CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS56 consiste em dois díodos de comutação de silício de ultra-alta velocidade, isolados eletricamente, fabricados pelo processo planar epitaxial e embalados numa caixa SOT-143 moldada em epóxi para montagem em superfície. Este dispositivo foi concebido para aplicações de comutação de alta velocidade.
CÓDIGO DE MARCAÇÃO: L51 ou WL5
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Catálogos
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