Díodo de junção PN CMHD series
para montagem em superfíciede retificaçãoem silício

Díodo de junção PN - CMHD series  - Central Semiconductor - para montagem em superfície / de retificação / em silício
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Características

Tipo de tecnologia
de junção PN
Montagem
para montagem em superfície
Função
de retificação
Características técnicas
em silício
Tensão inversa

MÍN: 50 V

MÁX: 250 V

Descrição

Os tipos CMHD457A e CMHD459A da CENTRAL SEMICONDUCTOR são díodos planos de silício, moldados em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SOD-123, concebidos para aplicações de baixa fuga. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO: CMHD457A: C7A CMHD459A: C9A O tipo CMHD4448 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício de velocidade ultra elevada fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SOD-123, concebido para aplicações de comutação de alta velocidade. CÓDIGO DE MARCAÇÃO C48 O tipo CMHD4150 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício de alta velocidade fabricado pelo processo planar epitaxial, numa embalagem de montagem em superfície moldada em epóxi, concebido para aplicações de comutação de alta velocidade. CÓDIGO DE MARCAÇÃO: C50 O CMHD3595 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de silício, fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi num invólucro de montagem em superfície, concebido para aplicações de alta condutância que exijam baixa fuga. CÓDIGO DE MARCAÇÃO: C95 O CMHD2003 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um díodo de comutação de silício, fabricado pelo processo planar epitaxial, moldado em epóxi numa embalagem de montagem em superfície SOD-123, concebido para aplicações que requerem uma capacidade de alta tensão. CÓDIGO DE MARCAÇÃO: C03

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