パルスダイオード レーザー PVGR2S06H

固体近赤外線（NIR）ダイオード

概要
PVGR2S06Hは1550 nm帯で動作するメタルパッケージのパルスレーザーダイオードです。単一キャビティのデュアルスタックチップを採用し、ストライプ幅は150 µmです。パッケージ例として9 mm CDパッケージの6 mils PLD構成が提供されます。典型的な試験出力は150 nsパルス時に20 Aで24 Wです。

技術と用途に関する注意
本製品群はMOCVD成長の量子井戸を有するダブルヘテロ構造のレーザーダイオードで、中心波長は1550 nmです。ファミリの標準ピーク出力には7 W、14 W、58 Wが含まれます。1550 nmは眼の安全性の観点で許容される放射レベルが高く設定されるため、条件により比較的高出力でのクラス1動作の可能性を高めます。

主な特長

• 中心波長：1550 nm
• メタルパッケージのパルスレーザーダイオード
• 単一キャビティ、デュアルスタックのチップアーキテクチャ
• ストライプ幅：150 µm
• 試験実績：150 nsパルスで20 A時に24 W
• 出力を高めるためのスタック構成オプション
• MOCVD成長の量子井戸を持つダブルヘテロ構造
• 高ピークパルス出力：最大50 Wの対応

仕様 / 技術仕様

• 型番：PVGR2S06H
• 波長（中心）：1550 nm
• チップ構造：単一キャビティ、デュアルスタック
• ストライプ幅：150 µm
• パッケージ：メタルパッケージ（例：9 mm CDパッケージ）
• PLD仕様：6 mils PLD
• 典型試験出力：150 nsパルス時に20 Aで24 W
• ピークパルス出力能力：最大50 W
• 成長/構造：MOCVD成長のダブルヘテロ構造（量子井戸）
• ファミリの標準ピーク出力：7 W、14 W、58 W
• 1550 nmでの許容放出レベルの向上により眼の安全性を高める設計（条件によってクラス1動作の可能性）