パルスダイオード レーザー PVGR4S12H

ナノ秒固体近赤外線（NIR）

製品概要
PVGR4S12Hは1550 nm動作向けの金属パッケージ済みパルスレーザーダイオードです。シングルキャビティのクワッドスタックチップを内蔵し、ストライプ幅300 µm（12 mil）、9 mm CD金属パッケージで供給されます。150 nsパルスでの試験において、58 W @ 40 A のピーク出力を発揮します。

技術と性能
MOCVD成長によるダブルヘテロ構造の量子井戸設計で、1550 nm中心波長に最適化されています。この波長は、目の安全性（適用されるFDA等の基準下でのクラス1運転の可能性）に関して許容される高い放射レベルを活用できます。システム要件に応じた複数のピーク出力バリエーションが用意されています。

特徴

• 産業用途向けの金属パッケージパルスレーザーダイオード
• シングルキャビティ、クワッドスタックのチップアーキテクチャ
• ストライプ幅：300 µm（12 mil）
• 9 mm CD等の複数のパッケージオプションで提供

ドキュメント
電気的・光学的・機械的仕様、試験条件、取り扱い推奨を含むデータシートを用意しています。

技術仕様

• 中心波長：1550 nm
• チップアーキテクチャ：シングルキャビティ、クワッドスタック
• ストライプ幅：300 µm（12 mil）
• 試験済みピーク出力：58 W @ 40 A（150 nsパルス時）
• 提供ピーク出力バリエーション：7 W、14 W、58 W
• パルスピーク出力能力：最大58 W（モデル依存）
• アクティブ構造：量子井戸
• 成長方法：MOCVDダブルヘテロ構造
• パッケージ：金属パッケージ（例：9 mm CD）