パルスダイオード レーザー PVGS2S06H

ナノ秒ショートインパルス固体

概要
PVGS2S06Hは金属パッケージの1550 nmパルスレーザーダイオードで、単一キャビティのデュアルスタックチップ、ストライプ幅150 µmを備えています。TO‑52を含む複数のパッケージで提供され、ピークパルス出力の高い用途向けに設計されています。

技術と性能
本デバイスはMOCVDで成長させたダブルヘテロ構造で、1550 nmに中心波長を持たせて目の安全性に有利な高い許容放射レベルを活用しています。適切な構成および統合により、比較的高い出力でクラス1動作が実現可能になる場合があります。アーキテクチャは高ピークパルス動作に最適化されています。

主な特徴

• 金属パッケージ（TO‑52オプション）
• 単一キャビティ、デュアルスタックチップ
• ストライプ幅：150 µm
• 短パルスでの高ピーク出力向けに設計

用途 / 注意事項
システム要件に応じた複数のパッケージで提供されます。スタック構成によりピーク出力をスケールでき、測距、LIDAR、自由空間光通信、試験・計測システムなど短時間の高エネルギーパルスが求められる用途に適します。

技術仕様

• 中心波長：1550 nm
• チップ構成：単一キャビティ、デュアルスタック
• ストライプ幅：150 µm
• 試験例出力：150 nsパルスで20 A時に24 W
• 高ピークパルス出力：最大50 W
• PVGファミリの標準ピーク出力：7 W、14 W、58 W（ファミリ値）
• 構造：量子井戸
• 製造：MOCVD成長のダブルヘテロ構造