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半導体産業用るつぼ
金属溶湯移送用高温用窒化ホウ素製

半導体産業用るつぼ - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - 金属溶湯移送用 / 高温用 / 窒化ホウ素製
半導体産業用るつぼ - Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd - 金属溶湯移送用 / 高温用 / 窒化ホウ素製
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特徴

特性
熱分解窒化ホウ素製, 高温用, 窒化ホウ素製, 金属溶湯移送用, 半導体産業用

詳細

概要
  • INNOVACERAは、ディスク、シート、フィラメントリング、VGF坩堝、LEC坩堝、MBE坩堝、円錐形坩堝、特注加工部品など、幅広いPBNセラミック部品を製造しています。


材質と製造
ピロリティック窒化ホウ素(PBN)は、六方窒化ホウ素(hBN)を原料とした化学気相成長(CVD)によって製造されます。CVDプロセスによりBNの結晶が基板に平行に配列され、約99.99%の超高純度と積層状の微細構造が得られます。CVD PBNの典型的な最大壁厚は3 mmで、高真空環境や溶融金属用途に適した高い機械的強度を有します。

用途
  • 真空炉用コンポーネント
  • 結晶成長用坩堝(GaAs生産向けのMBE坩堝を含む)
  • 分子線エピタキシー(MBE)プロセス
  • 高真空および溶融金属環境


主な特性
  • 異方性の熱伝導率
  • 広い温度範囲での高い電気絶縁性と強い誘電強度
  • 超高純度(約99.99%)
  • 非湿潤性および化学的不活性
  • 無毒
  • 高温および熱衝撃に対する耐性


技術仕様
  • 材質:ピロリティック窒化ホウ素(PBN)、六方窒化ホウ素(hBN)由来
  • 製造:化学気相成長(CVD)
  • 純度:約99.99%
  • CVD構造:基板に平行に配列した結晶構造
  • 典型的な最大壁厚(CVD):3 mm
  • 機械的:真空環境に適した高い機械的強度
  • 熱的:異方性の熱伝導率;高温および熱衝撃に耐性
  • 電気的:高い絶縁抵抗と幅広い温度での強い誘電強度
  • 化学的:非湿潤性、化学的に不活性、無毒
  • 一般的な製品形状:ディスク、シート、フィラメントリング、VGF坩堝、LEC坩堝、MBE坩堝、円錐形坩堝、特注加工部品

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