半導体産業用るつぼ

セラミック高温用アルミニウム製

製品概要
INNOVACERA の導電性窒化ホウ素るつぼは、半導体や薄膜製造における電子ビーム蒸着および熱蒸発プロセス向けに設計されています。導電性で低濡れ性の表面と高純度組成により、基板の汚染を防ぎつつ、金属やセラミック材料の制御された蒸発を可能にします。合金溶解、希土類およびセラミックの焼結、各種コーティング用途に適しています。

主な特性と用途
本導電性窒化ホウ素るつぼは、高温耐性と耐熱衝撃性に優れています。多くの金属や希土類セラミックに対して化学的に安定であり、急速な加熱・冷却下でも形状を保持します。代表的な用途は電子ビーム蒸着、誘導加熱や抵抗加熱による熱蒸着、アルミニウムやシリコンのめっき、各種薄膜成膜プロセスです。

利点

• 高純度と良好な表面仕上げにより、汚染を低減し膜品質を向上。
• 蒸発速度の向上により、成膜時間短縮とサイクル時間の削減が可能。
• 熱安定性の向上により消費電力を低減し、プロセスの安定性を向上。
• 長寿命によりダウンタイムと交換頻度を低減。

利点・特徴

• 高温および繰り返しの熱サイクルに対する優れた耐性。
• 低い熱膨張率と、ほとんどの溶融金属による濡れに強い性質。
• 2000℃まで耐熱：窒化ホウ素はアルミニウムと反応せず、揮発しない。
• 蒸発率の増加：プロセスサイクルの短縮と全体収率の向上。
• 迅速な材料切替えが可能で、チャンバーの停止時間を最小化し生産性を向上。
• 熱安定性の向上により、一貫した制御された蒸発挙動を実現。

仕様

• 主成分: BN + TiB2
• 密度: 3.0 g/cm3
• 結合組成: B2O3
• 色: グレー
• 室温抵抗率: 300-2000 Ω·cm
• 使用温度: 1800℃未満
• 熱伝導率: > 40 W/m·K
• 熱膨張係数: (4-6) x 10⁻⁶ K⁻¹
• 曲げ強度: > 130 MPa
• 蒸発速度: 0.35-0.5 g/min·cm²