セラミックプレート BN-AlN

窒化ホウ素窒化アルミニウム絶縁

概要
AlN-BN 複合セラミック部品は、窒化ホウ素（BN）と窒化アルミニウム（AlN）の粉末を焼結して製造されます。本複合材料は電気絶縁性と熱伝導性、機械的強度、熱衝撃耐性、ハロゲン系ガスプラズマに対する耐性を併せ持ち、半導体製造装置や真空装置での放熱性および真空適合性を必要とする部品に適しています。

イオン源における機能
イオン源では、真空チャンバー内で原子・分子イオンが生成されます。AlN/BN 複合材料は電気絶縁、熱伝導、真空シール性能および低ガス放出を提供し、イオン源のヒートシンク、熱伝達プレート、真空構造部材として適しています。

材料の利点

• 機械的強度と構造安定性。
• 放熱に有効な高い熱伝導性。
• 低い熱膨張係数。
• 低い誘電損失と信頼性のある電気絶縁性。
• 耐食性および溶融金属による濡れ性の低さ。
• 精密で複雑な形状への良好な加工性。
• 低ガス放出での真空シール性。
• 可視〜赤外波長の透過が可能で、高周波環境に適合。

材料特性

• 主成分：BN + AlN
• 色：灰緑色
• 密度：2.8–2.9 g/cm3
• 三点曲げ強さ：90 MPa
• 圧縮強さ：220 MPa
• 熱伝導率：85 W/m·K
• 熱膨張係数（20–1000℃）：2.8 × 10^-6 /K
• 最大使用温度（大気中）：900 ℃
• 最大使用温度（不活性ガス中）：1750 ℃
• 最大使用温度（高真空中）：1750 ℃

用途

• ヒートシンクおよび熱伝達部品
• 真空部品およびフィードスルー
• 低誘電率および低損失係数を必要とする部品
• 低熱膨張係数を必要とする部品
• 電気絶縁と放熱を兼ね備えた電子部品
• ホール効果スラスタの電気推進放電チャネル

技術仕様

• 組成：BN + AlN
• 色：灰緑色
• 密度：2.8 – 2.9 g/cm3
• 三点曲げ強さ：90 MPa
• 圧縮強さ：220 MPa
• 熱伝導率：85 W/m·K
• 熱膨張係数（20–1000℃）：2.8 × 10^-6 /K
• 最大使用温度：900 ℃（大気中）；1750 ℃（不活性ガス中）；1750 ℃（高真空中）