Estufa de oxidação RLA-1200

de recozimentode campânulaa gás

Este sistema de recozimento de lâmpadas para wafers de 4 a 8 polegadas consegue um processamento de alta qualidade mesmo para utilização em I&D. A activação e oxidação estão disponíveis num ambiente de vácuo (LP) e numa atmosfera de bloqueio de carga N2. Características Processo de alto desempenho com I&D Sistema de baixo custo por transferência manual de susceptor Estrutura superior e inferior da lâmpada cruzada e forno de imersão melhoram a uniformidade da temperatura no plano estão disponíveis bolachas de 4 a 8 polegadas Equipado com um sistema de controlo de alto desempenho de fácil utilização pelo operador Tubo de quartzo projectado a vácuo permite a substituição precisa do gás e o processo à pressão de vácuo Este sistema de recozimento de lâmpadas para a I&D de wafers de 4 a 8 polegadas poupa custos de processamento graças ao aquecimento de alta velocidade a 200°C/seg. e à transferência manual de susceptor. A estrutura utilizando as lâmpadas de halogéneo cruzadas superior e inferior atinge uma uniformidade superior de temperatura no plano, tornando realidade tanto o processamento de baixo custo como de alta qualidade. Graças ao tubo de quartzo concebido para incluir uma propriedade resistente ao vácuo, o processamento está disponível num ambiente de vácuo limpo (LP) e atmosfera de bloqueio de carga N2.