チャンバー炉

結晶成長自動

SiC結晶成長炉は、特定の大気環境下で、炭化ケイ素材料の気相輸送や化学反応などを促進し、最終的に種結晶上に高品質なSiC単結晶インゴットを成長させることを可能にします。 サイズ 6インチ／8インチ 結晶成長時の凸度 1～3mm 高精度インテリジェント制御システム、カスタマイズサービス マルチゾーン高精度制御 インテリジェント制御システムを活用した遠隔集中制御 高出力、高安定性、最適な空間利用率 カスタマイズソリューション対応 シリコン材料用結晶成長炉は、高純度・高品質の単結晶Siインゴットを成長させるための重要な装置です。通常、Czochralski法を用いて単結晶Siインゴットを成長させます。不活性雰囲気下でグラファイトヒーターを用いてシリコン材料を溶融し、その後、シードをシリコン溶融液に浸漬します。 シードの昇降・回転速度とるつぼの昇降・回転速度を正確に制御することで、シリコン原子がシード上に層ごとに整然と配列され、それによって転位のない単結晶シリコンインゴットが成長します。 大口径設計、精密な温度制御、自動制御といった技術的優位性を誇り、成長させるインゴットの直径はΦ360～Φ600mm、最小長さは2mです。 専門シミュレーションソフトウェア 専門的なシミュレーションソフトウェア「STR」を使用して、SiCインゴットの成長サイクル全体をシミュレーションし、お客様に包括的な成長ソリューションを提供します。 インテリジェント制御 インテリジェント制御システムを活用し、遠隔集中制御を実現します。 カスタマイズ可能 必要に応じて、カスタマイズされた加熱方式（抵抗加熱／誘導加熱）を提供します。