レーザー切断機 RM-LS-SiC-1200

単結晶シリコン用ウェーハ半導体産業用

半透明のバンドレーザーを用いてインゴットの内部に精密に焦点を合わせることで、多光子効果を通じて均一な改質層が形成され、制御可能な微小亀裂の伝播が誘起されます。続いて、超音波を併用したリフトオフ処理を行い、基板全体の完全なリフトオフを実現します。 本装置は、SiCインゴットのリフトオフやウェハーの精密薄化を効率的に完了できるほか、GaNやダイヤモンドなどの硬質かつ脆性のある結晶材料のリフトオフにも対応しています。 超低リフトオフロス、高平坦度、機械的応力の発生なし、高い量産効率を特徴とし、ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの量産における中核装置となっています。* 8/12インチに対応 自社開発の中核モジュール フォーカス追跡、光場制御、ガイド付きウェーハピックアップのための中核アルゴリズムおよび構造。 材料ロスの低減 研削後の総ロスはわずか100μm（8インチ導電性）。 高い加工効率 高い加工効率：15分/ウェーハ。 統合ソリューション レーザー改質＋超音波補助分離＋自動ウェーハピックアップ＋AOIを統合したソリューション。