赤外線検査機器 TR7950Q SII

カメラ型3DAI

導入
TR7950Q SIIは、先端半導体製造向けに設計されたモジュラー式のウェーハ検査および微小計測メトロロジープラットフォームです。AI駆動のアルゴリズムと、SWIR・3D DFF・TSV/Thin-Filmなどのオプションセンサーモジュールを組み合わせ、目に見えない内部欠陥の検出と高精度測定を実現します。

特長

• 高解像度ウェーハ検査
• メトロロジー機能を備えた精密マイクロ測定
• 超高速TSVおよび薄膜メトロロジー
• オプションのSWIRによる内部欠陥検出
• DFFオプション（Depth From Focus）により0.5 µm / 1 µmの分解能を選択可能
• クリーンルーム対応：ISO Class 5
• TSV測定：TSV深さ、トレンチ深さの検知
• 薄膜測定：酸化膜、窒化膜、PR、PI膜厚

光学系
イメージング方式：Stop-and-Go Imaging
カメラ：25 Mpix
光学分解能：2.5 µm
照明：マルチフェーズTrue Color LED、同軸照明
3D技術：Quad Digital Fringe Projectors
最大3D高さ：600 μm

ウェーハおよびフレーム搬送
対応ウェーハサイズ：6", 8", 12"
対応フレームサイズ：8", 12"

クリーンルーム
クリーンルームクラス：ISO Class 5 (ISO 14644-1)

モーションテーブルと制御
X軸：モーションコントローラ付リニアモーター + エアベアリングまたはリニアガイド
Y軸：モーションコントローラ付リニアモーター + エアベアリングまたはリニアガイド
Z軸：ボールねじ + リニアガイド + ACサーボモータ（モーションコントローラ付）またはリニアガイド + モーションコントローラ付リニアモーター
X-Y軸分解能：0.1 µm

検査および計測機能
パターニングウェーハ：残渣、クラック、キズ、粒子、パッド異常、変色、汚染、剥離、プローブマークリング、CD測定
バンプウェーハ：2Dバンプサイズ、3Dバンプ高さ、バンプ欠陥、異物、CD測定
ウェーハフレーム：チッピング、クラック、キズ、粒子、汚染、CD測定、ソー3Dメトロロジー
ウェーハトポロジー：ウェーハ厚さ、トップサイド反り
TSV：TSV深さ検知、トレンチ深さ
薄膜：酸化膜、窒化膜、PR、PI膜厚

オプション機能
オプションセンサー技術：3D DFFモジュール（0.55 または 1 µm）、SWIRモジュール（1、2、4 µm）、CSSモジュール、TSV/Thin-Filmモジュール
TSV / Thin-Filmモジュール：スポットサイズ 50 µm / 25 µm；TSVアスペクト比 最大30:1；ビア径 3–20 µm；膜厚測定範囲 100 nm～30 µm

寸法
WxDxH：1235 x 2590 x 2050 mm（EFEMにより変動）
重量：2300 kg（EFEMなし）

注意事項
* DFFおよびSWIRはオプションであり、後付け可能です。TSV/Thin-FilmおよびCSSモジュールと互換性があります。

仕様

• 型番：TR7950Q SII
• ブランド：Test Research, Inc. (TRI)
• イメージング方式：Stop-and-Go Imaging
• カメラ：25 Mpix
• 光学分解能：2.5 µm
• 3D技術：Quad Digital Fringe Projectors
• 最大3D高さ：600 μm
• 照明：マルチフェーズTrue Color LED、同軸照明
• 対応ウェーハサイズ：6", 8", 12"
• 対応フレームサイズ：8", 12"
• クリーンルーム：ISO Class 5 (ISO 14644-1)
• X-Y軸分解能：0.1 µm
• オプションモジュール：SWIR (1/2/4 µm), 3D DFF (0.55 または 1 µm), CSS, TSV/Thin-Filmモジュール
• TSVモジュール：スポットサイズ 50 µm / 25 µm；アスペクト比 最大30:1；ビア径 3–20 µm
• 膜厚測定範囲：100 nm～30 µm
• 寸法 (WxDxH)：1235 x 2590 x 2050 mm（EFEMにより変動）
• 重量（EFEMなし）：2300 kg