セラミックプレート

アルミナ酸化アルミニウム保護

製品概要
アルミナ（Al2O3）セラミックのベースおよびノズルは、インプランターや電子発生器の部品など、半導体プロセス装置で使用されます。95％、99％、99.7％のAl2O3等級で提供され、電気絶縁性、優れた熱伝導率、および高温・高電圧環境で要求される機械的強度を備えています。

主な特性

• 主成分：Al2O3（95％ / 99％ / 99.7％）
• バルク密度：3.6 / 3.89 / 3.96 g/cm3
• 最大使用温度：1450°C / 1600°C / 1650°C
• 熱伝導率（20°C）：16 / 30 / 30.4 W/m·K
• 耐電強度：8.3 (210) / 8.7 (220) / 8.7 (220) ac-kV/mm (ac V/mil)
• 体積抵抗率（100°C）：>10^13 / >10^14 / >10^14 ohm·cm
• 曲げ強さ（20°C）：358 (52) / 550 / 550 MPa
• 圧縮強さ（20°C）：2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377) MPa
• 破壊靱性 K(Ic)：4–5 / 5.6 / 6 MPa·m1/2

用途
電子発生器、インプラント装置、その他の半導体製造装置における絶縁、シールド、耐摩耗部品として使用されます。高温、高電圧、腐食性プロセス雰囲気にさらされる部品に適しています。

技術仕様

• 主成分：Al2O3（95％ / 99％ / 99.7％）
• バルク密度（g/cm3）：3.6 / 3.89 / 3.96
• 最大使用温度：1450°C / 1600°C / 1650°C
• 吸水率（%）：0 / 0 / 0
• ROHS 硬度：≥85 / ≥89 / ≥89
• 曲げ強さ（20°C）MPa（psi x 10^3）：358 (52) / 550 / 550
• 圧縮強さ（20°C）MPa（psi x 10^3）：2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377)
• 破壊靱性 K(Ic) MPa·m1/2：4–5 / 5.6 / 6
• 線膨張係数（25-1000°C）1×10^-6/°C：7.6 / 7.9 / 8.2
• 熱伝導率（20°C）W/m·K：16 / 30 / 30.4
• 熱衝撃抵抗（°C）：250 / 200 / 200
• 誘電率（1MHz、25°C）：9 / 9.7 / 9.7
• 耐電強度 ac-kV/mm（ac V/mil）：8.3 (210) / 8.7 (220) / 8.7 (220)
• 体積抵抗率（100°C）ohm·cm：>10^13 / >10^14 / >10^14