セラミック基板

エレクトロニクス産業用パワー電子用窒化アルミニウム

INNOVACERAのカスタムセラミック基板は、パワーエレクトロニクス、半導体パッケージング、マイクロエレクトロニクスの基礎素材として機械的支持、電気的配線、熱管理を提供します。

材料と用途

• 96%酸化アルミニウム (Al₂O₃): 反りが小さく、熱衝撃・耐薬品性に優れ、加工性が良好。用途：厚膜/薄膜チップ抵抗、低出力LED、エネルギー貯蔵・充電ステーション用基板。
• 窒化アルミニウム (AlN): 高い熱伝導率、高耐圧、シリコンウエハーに近い熱膨張係数。用途：ヒートシンク、高出力IGBTモジュール、高出力LED。
• ジルコニア強化アルミナ (ZTA): 高強度、高反射率、優れた耐熱衝撃性、良好な加工性。用途：中電力モジュール、中電力LED、計測機器。
• 窒化ケイ素 (Si₃N₄): 高い熱伝導率、高強度・靭性、シリコンに近いCTE。用途：高出力IGBTモジュール、大型ヒートシンク、無線モジュール。

バリューチェーン全体の技術的優位性

• ロットの一貫性と安定した熱機械特性を確保する独自管理の高純度粉末。
• 形状・サイズ・性能要件に合わせた膜キャスティング、乾式成形、等方性プレスなど複数の成形プロセス。
• レーザー加工、研削・研磨によるμmレベルの寸法精度と超低表面粗さ（Raはnmレベルに到達可能）。
• 40件超の特許を有する強力なR&Dとカスタマイズ能力により、特定の厚さや性能パラメータに合わせた基板設計が可能。
• IATF16949自動車品質認証および精密な試験・解析装置による全工程品質管理。

仕様・寸法

• 単位： mm
• 有効寸法 (A, B)： Al₂O₃: 50.8–190；ZTA: 50.8–190；AlN: 50.8–190；Si₃N₄: 138 × 190
• 厚さ (T)： Al₂O₃: 0.25–1.5；ZTA: 0.25–1.5；AlN: 0.25–1.0；Si₃N₄: 0.25、0.32
• 厚さ公差： ±5%（最小 ±0.03 mm）— 全材料
• 反り (C)： ≤0.3% — 全材料
• 表面粗さ (μm)： Al₂O₃: 0.2–0.6；ZTA: 0.2–0.5；AlN: 0.2–0.75；Si₃N₄: 0.2–0.75
• 寸法、厚さ、表面粗さはカスタマイズ可能

技術仕様

• 提供材料：96%アルミナ (Al₂O₃)、窒化アルミニウム (AlN)、ジルコニア強化アルミナ (ZTA)、窒化ケイ素 (Si₃N₄)。
• 精密加工：μm単位の寸法管理と、高度な研削・研磨により表面Raをnmレベルまで到達可能。
• 製造プロセス：膜キャスティング、乾式成形、等方性プレスおよび複雑形状向けの特注成形。
• R&Dとカスタマイズ：40件超の特許、顧客要件に応じた厚さや電気・熱特性の調整が可能。
• 品質と認証：全工程の品質管理およびIATF16949認証、精密試験・解析装置を保有。