Máquina de corte a laser RM-LS-SiC-1200

para silício monocristalinode waferpara a indústria dos semicondutores

Através da utilização de lasers de banda semitransparente para focar com precisão no interior do lingote, forma-se uma camada de modificação uniforme por meio do efeito multifotónico, induzindo a propagação controlável de microfissuras. Segue-se um processo de remoção assistido por ultrassons para conseguir a remoção completa de todo o substrato. O equipamento consegue realizar com eficiência a remoção de lingotes de SiC e o afinamento de precisão de pastilhas, sendo simultaneamente compatível com a remoção de materiais cristalinos duros e frágeis, tais como o GaN e o diamante. Caracteriza-se por uma perda de remoção ultrabaixa, elevada planicidade, ausência de tensão mecânica e elevada eficiência de produção em massa, tornando-o um equipamento essencial para a produção em massa de dispositivos semicondutores de potência de banda larga.* Adequado para 8/12 polegadas Módulo central desenvolvido internamente Algoritmos e estruturas centrais para rastreamento de foco, controlo do campo de luz e recolha guiada de wafers. Baixa perda de material Perda total após esmerilagem tão baixa quanto 100 µm (8 polegadas condutivas). Elevada eficiência de processamento Elevada eficiência de processamento: 15 min/wafer. Solução integrada Solução que integra modificação a laser + separação assistida por ultrassons + recolha automática de wafers + AOI.