O forno de crescimento de cristais de SiC permite que, numa atmosfera específica, os materiais de carboneto de silício sejam submetidos a transportes em fase de vapor, reações químicas, etc., resultando no crescimento de lingotes de monocristal de SiC de alta qualidade a partir de uma semente.
Tamanho
6 polegadas/8 polegadas
Convexidade durante o crescimento do cristal
1-3 mm
Sistema de controlo inteligente de alta precisão, serviço personalizado
Controlo multizona de alta precisão
Utilização do sistema de controlo inteligente para alcançar um controlo centralizado remoto
Elevado rendimento, elevada estabilidade e utilização ótima do espaço
Soluções personalizadas disponíveis
O Forno de Crescimento de Cristais para Materiais de Silício é um equipamento essencial para o crescimento de lingotes de Si monocristalino de alta pureza e alta qualidade. Normalmente, utiliza o método Czochralski para o crescimento de lingotes de Si monocristalino. Derrete os materiais de silício através do aquecedor de grafite numa atmosfera inerte e, em seguida, mergulha a semente no silício fundido. Através do controlo preciso da velocidade de elevação/rotação da semente e da velocidade de elevação/rotação do cadinho, os átomos de silício são dispostos de forma ordenada, camada a camada, sobre a semente, permitindo assim o crescimento de lingotes de silício monocristalino isentos de deslocamentos. Apresenta vantagens técnicas como o design de grande diâmetro, o controlo preciso da temperatura e o controlo automático; o diâmetro dos lingotes produzidos varia entre Φ360 e Φ600 mm, com um comprimento mínimo de 2 m.
Software de simulação profissional
Utilize o STR, um software de simulação profissional, para simular todo o ciclo de crescimento do lingote de SiC, proporcionando soluções de crescimento abrangentes aos clientes.
Controlo inteligente
Aproveite o sistema de controlo inteligente para obter um controlo centralizado à distância.
Personalizável
Oferece métodos de aquecimento personalizados (aquecimento por resistência/aquecimento por indução), conforme necessário.
---