共晶チップ用マイクロ シーラー H3-EB10C

エポキシマルチ チップ自動

H3-EB10Cは、共晶はんだ付けと銀系接着剤（エポキシ）ディスペンスに対応する、先進パッケージ向けの全自動共晶表面実装システムです。マルチチップ処理、自動ツール交換、高精度配置を必要とする生産および研究開発用途に適しています。

ハイライト

• 生産性を最適化した配置ワークフロー
• 最大12工具の自動ツール交換によるマルチチップ対応
• デュアル視野ビジョンと多段温度制御による高精度アライメント／はんだ付け

用途分野

• フォトニクス
• パワー半導体
• マイクロ波RFデバイス
• 新エネルギー車向け電子機器

技術的特徴

• スクレープ機能と多段温度制御を備えた共晶はんだ付け
• 銀系接着剤用のエポキシディスペンスポンプ、マルチチップディスペンス対応
• 最大12種類の吸着工具を自動交換、固定移動で柔軟に切替え
• 前面/背面基準の実装機能
• 実装プロセス：共晶プレースメント（ディスペンス、マルチチップ）
• 高精度検出用デュアル視野ビジョンシステム
• 供給物互換性：2″ GEL-PAK、6″ wafer ring

仕様

• 型式：H3-EB10C
• 実装方式：前面/背面基準実装
• 実装プロセス：共晶プレースメント（ディスペンス、マルチチップ）
• 適用シナリオ：COC、COS（COCの量産および研究開発試験に対応）
• 実装精度：±3 μm（標準基板）；用途により最大±7 μm
• ボンディング精度：±5 μm @ 3σ 実装精度；±0.036° @ 3σ 回転精度
• 装置効率：約10–20 s/個（用途依存）
• マルチチップ対応：最大12種の吸着工具を自動交換でサポート
• ビジョン/検出：デュアル視野高精度検出
• 供給互換性：2″ GEL-PAK、6″ wafer ring