共晶チップ用マイクロ シーラー FiNEXT P3

超音波エポキシ自動

概要
FiNEXT P3は12インチウェハ対応の次世代ダイボンディング生産プラットフォームで、超音波、接着、共晶の各ボンディング手法を統合し、ハイミックス・高ボリューム生産において安定した歩留まり、均一な品質、向上したスループットを実現します。パイロットラインから量産へのスムーズなスケールアップを想定し、先進パッケージングや半導体組立のワークフローに対応しています。

主な利点

• 複数のボンディングツールとプロセスを一つのシステムに統合し、ハイミックス対応を可能にします。
• シフトやバッチを通じて安定した歩留まりと一貫した生産品質を維持します。
• 切替時間を短縮し、混在デバイス生産のスループットを向上させます。

ボンディング技術とプロセスの柔軟性

• 1台のプラットフォームで超音波ボンディング、接着ボンディング、共晶ボンディングをサポートします。
• マルチプロセス機能により装置間の搬送を最小化し、ハンドリングリスクを低減します。
• モジュラー構造でボンディング方式やパッケージ形態の切替が可能です。

スループット、オートメーション、ハンドリング

• 12インチウェハ対応：大寸法ウェハおよび連続した混在ランに対応し稼働率を最大化します。
• 自動ウェハロードとデリケートなダイ管理により、作業者を高付加価値業務に集中させます。
• MEMS、フォトニクス、レーザーダイオード等の高感度コンポーネントを保護する丁寧なダイハンドリングを実施します。

精度と工程制御

• 配置精度：配置精度3 µmにより誤差を低減し、歩留まり向上とリワーク削減に寄与します。
• 高精度アライメント許容差と工程安定性は先進パッケージングやフォトニック統合に適合します。
• 装置間搬送によるばらつきを最小化し、パイロットから量産への再現性を向上させる設計です。

用途

• 光トランシーバおよびフォトニック部品
• microLED組立およびディスプレイ
• LiDARおよびレーダーモジュール
• MEMSおよびセンサアセンブリ
• パワーデバイス（SiC、GaN）
• ヘテロジニアスおよび高密度パッケージ

ソフトウェアと工場統合

• ワークフロー構成、生産トラッキング、出力最適化を行う生産ソフトウェアを搭載。
• 現場統合に対応し、生産追跡と容易なプロセス設定をサポートします。

開発と提供状況

• ベータプロトタイプと開発マイルストーンで管理される次世代生産プラットフォームとして位置付けられています。
• 製造業者が多様な先進パッケージング工程を集約し、複雑なマイクロシステム組立を量産化することを目的に設計されています。

仕様

• モデル名：FiNEXT P3
• ウェハ対応：12インチウェハ処理対応
• サポートするボンディング方式：超音波、接着、共晶
• 配置精度：3 µm
• 自動化：自動ウェハロードとデリケートなダイハンドリング
• 対象アプリケーション：光トランシーバ、microLED、LiDAR、レーダー、MEMS、パワーデバイス（SiC/GaN）、フォトニクス、ヘテロジニアスパッケージ
• 主な目的：安定した歩留まり、一貫した品質、スケーラブルなハイミックス大量生産
• プラットフォーム機能：モジュラーなマルチプロセス対応、製造ワークフローソフト、プロセストラッキングと最適化